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5G光器件封裝之散熱研究(上)

發(fā)布日期:2019-04-11 來(lái)源:xinwen 點(diǎn)擊: 11300

目前5G已經(jīng)成為全球關(guān)注的一個(gè)熱題焦點(diǎn),咱也蹭蹭熱度,大家都知道,5G相比于4G下載速率要提升至少9~10倍,在5G網(wǎng)絡(luò)時(shí)代,不管什么樣的5G承載方案都離不開(kāi)5G通信器件,而5G對(duì)于光器件的要求也越來(lái)越高,體積小,集成度高,速率高,功耗低,針對(duì)5G前傳、中傳和回傳主要常用的器件速率有25G、50G、100G、200G以及400G光器件,其中25G和100G光器件是應(yīng)用最為廣泛的5G通信器件。

5G光器件之散熱分析

速率越來(lái)越高,體積越來(lái)越小,這是光器件發(fā)展的必然趨勢(shì),同時(shí)也給光器件內(nèi)部熱管理帶來(lái)較高要求,如何快速有效的進(jìn)行散熱是個(gè)必須嚴(yán)肅對(duì)待的問(wèn)題。

一、散熱

為什么要考慮熱設(shè)計(jì)?

眾所周知,我們的光電芯片在工作時(shí),并不會(huì)將注入電流100%轉(zhuǎn)換成輸出光電子,一部分將會(huì)以熱量的方式作為能量損耗,如果大量的熱不斷積累,無(wú)法及時(shí)排除,將會(huì)對(duì)元器件性能產(chǎn)生諸多不利影響,一般而言,溫度升高電阻阻值下降,降低器件的使用壽命,性能變差,材料老化,元器件損壞;另外高溫還會(huì)對(duì)材料產(chǎn)生應(yīng)力變形,可靠性降低,器件功能失常等。

我曾見(jiàn)識(shí)過(guò)某公司QSFP-DD 200G模塊,對(duì)器件進(jìn)行耦合封裝時(shí),模塊燙得手無(wú)法觸碰,溫度最起碼有80℃,只能一邊耦合,一邊使用散熱風(fēng)扇,才能穩(wěn)住器件功率,所以在考慮器件封裝結(jié)構(gòu)時(shí),熱設(shè)計(jì)是其中很重要的考慮因數(shù)之一。

我們先普及下熱量傳遞的三種基本方式:熱傳導(dǎo)、熱對(duì)流、熱輻射

熱傳導(dǎo):物體各部分之間不發(fā)生相對(duì)位移時(shí),依靠分子、原子及自由電子等微觀例子的熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的熱量稱為導(dǎo)熱。比如,芯片通過(guò)底下的熱沉進(jìn)行散熱,光器件通過(guò)散熱硅脂接觸外殼散熱等,都屬于熱傳導(dǎo)。

5G光器件之散熱分析

芯片通過(guò)熱沉熱傳導(dǎo)

5G光器件之散熱分析

器件通過(guò)散熱硅脂熱傳導(dǎo)

二、熱設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)

5G光器件之散熱分析

熱傳導(dǎo)過(guò)程中傳遞的熱量按照Fourier導(dǎo)熱定律計(jì)算:

Q=λA(Th-Tc)/δ

其中:A為與熱量傳遞方向垂直的面積,單位為m2;

Th與Tc分別為高溫與低溫面的溫度;

δ為兩個(gè)面之間的距離,單位為m;

λ為材料的導(dǎo)熱系數(shù),單位為W/(m*℃)

從公式可以看出,熱傳導(dǎo)過(guò)程跟散熱面積、材料的厚度、導(dǎo)熱系數(shù),還有接觸面與散熱面的溫度差等有關(guān)系,面積越大,材料越薄、導(dǎo)熱系數(shù)越大,熱傳導(dǎo)傳遞熱量越強(qiáng)。

一般說(shuō),固體的導(dǎo)熱系數(shù)大于液體,液體的大于氣體。例如常溫下純銅的導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)400 W/(m*℃),純鋁的導(dǎo)熱系數(shù)為210W/(m*℃),水的導(dǎo)熱系數(shù)為0.6 W/(m*℃),而空氣僅0.025W/(m*℃)左右。鋁的導(dǎo)熱系數(shù)高且密度低,所以散熱器基本都采用鋁合金加工,但在一些大功率芯片散熱中,為了提升散熱性能,常采用鋁散熱器嵌銅塊或者銅散熱器。

舉幾個(gè)生活中的熱傳導(dǎo)例子:

①鍋炒菜,鐵鍋導(dǎo)熱很快將菜炒熟;

②小時(shí)候,門(mén)口賣冰棒用棉被裹住,冰棒長(zhǎng)時(shí)間不會(huì)融化,棉被導(dǎo)熱差;

下圖匯總了一些常用材料作為熱沉的性能對(duì)比:

image.png

我們針對(duì)熱沉材料的選用規(guī)則:

(1)熱導(dǎo)率要高;

(2)與芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配;

從以上表格看出,熱導(dǎo)率較高,熱膨脹系數(shù)與芯片材質(zhì)相匹配的有:鎢銅合金、金剛石、氧化鈹、氮化鋁,經(jīng)濟(jì)成本考慮目前應(yīng)用最為廣泛的:銅、鎢銅、氮化鋁等。

對(duì)流換熱:是指運(yùn)動(dòng)著的流體流經(jīng)溫度與之不同的固體表面時(shí),與固體表面之間發(fā)生的熱量交換過(guò)程,這是通信設(shè)備散熱中應(yīng)用最廣的一種換熱方式。

對(duì)流換熱主要分為自然對(duì)流換熱和強(qiáng)制對(duì)流換熱兩類:

自然對(duì)流:主要利用高低溫流體密度差異造成的浮升力做動(dòng)力交換熱量,是一種被動(dòng)散熱方式,適用于發(fā)熱量較小的環(huán)境。而在手機(jī)、光模塊等終端產(chǎn)品中主要是自然對(duì)流換熱為主。

強(qiáng)制對(duì)流換熱:通過(guò)泵、風(fēng)機(jī)等外部動(dòng)力源加快流體換熱速度所造成的一種高效散熱方式,需要額外的經(jīng)濟(jì)投入,適用于發(fā)熱量較大、散熱環(huán)境較差的情況;在機(jī)柜或交換機(jī)中工作的光模塊通常采用的風(fēng)扇冷卻散熱就是典型的強(qiáng)制對(duì)流換熱。

5G光器件之散熱分析

生活中的示例:

1、電茶壺?zé)畷r(shí),打開(kāi)蓋子時(shí),可看到熱水和冷水的對(duì)流;

2、打開(kāi)剛用熱水泡的茶,可以看到空氣對(duì)流。

熱輻射:指通過(guò)電磁波來(lái)傳遞能量的過(guò)程,熱輻射是由于物體的溫度高于絕對(duì)零度時(shí)發(fā)出電磁波的過(guò)程,兩個(gè)物體之間通過(guò)熱輻射傳遞熱量稱為輻射換熱。物體的輻射力計(jì)算公式為:

E=5.67e-8εT4

物體表面之間的熱輻射計(jì)算是極為復(fù)雜的,其中最簡(jiǎn)單的兩個(gè)面積相同且

正對(duì)著的表面間的輻射換熱量計(jì)算公式為:

Q=A*5.67e-8/(1/εh+1/εc-1)*(Th4-Tc4)

公式中:T指的是物體的絕對(duì)溫度值=攝氏溫度值+273.15;

ε是表面的黑度或發(fā)射率。

發(fā)射率取決于物質(zhì)種類,表面溫度和表面狀況,與外界條件無(wú)關(guān),也與顏色無(wú)關(guān)。將印制電路板表面涂敷綠油,其表面黑度可以達(dá)到0.8,這有利于輻射散熱。對(duì)于金屬外殼,可以進(jìn)行一些表面處理來(lái)提高黑度,強(qiáng)化散熱。但是需要注意的是,將外殼涂黑并不能一定強(qiáng)化熱輻射,因?yàn)樵谖矬w溫度低于1800℃時(shí),熱輻射波長(zhǎng)主要集中于0.76~20μm紅外波段范圍內(nèi),可見(jiàn)光波段內(nèi)的熱輻射能量比重并不大。所以將模塊外殼或內(nèi)部涂黑只能增強(qiáng)可見(jiàn)光輻射吸收,與帶來(lái)熱量的紅外輻射無(wú)關(guān)。

生活中示例:

1、當(dāng)你在火爐邊上時(shí),會(huì)有灼熱感;

2、太陽(yáng)的照射產(chǎn)生熱量。

三、光器件熱分析

器件整體散熱路徑:

光器件工作時(shí)的熱環(huán)境如下圖所示??刹灏喂馐瞻l(fā)模塊插入面板之后,內(nèi)部產(chǎn)生的熱量一小部分由周圍空氣的自然對(duì)流散熱,大部分則是通過(guò)傳導(dǎo)的方式散熱,熱量總是由溫度高的一端傳遞到溫度低的一端,模塊熱量向上傳遞至封裝外殼,向下傳遞至主板。下圖光模塊的封裝結(jié)構(gòu)整體示意圖,分析模塊的主要散熱路徑。

5G光器件之散熱分析

光器件內(nèi)部散熱路徑:

內(nèi)部主要發(fā)熱組件包括TOSA發(fā)射組件、ROSA接收組件、PCB板上器件及IC控制芯片。芯片產(chǎn)生的熱量主要通過(guò)頂部①和底部③以及側(cè)面②散熱,而經(jīng)過(guò)引線框架從兩側(cè)面?zhèn)鲗?dǎo)到外界的熱量②,實(shí)際上由于①、②太小可忽略不計(jì),為提高模塊整體散熱效率,需盡可能提高③的散熱能力,減小各路徑中熱阻的大小和提高其導(dǎo)熱系數(shù)。

5G光器件之散熱分析

芯片散熱路徑

光器件散熱的重要影響因素:

通過(guò)對(duì)光器件的內(nèi)外部分析,可知影響光器件散熱重要影響因素如下:

(1)做功器件的熱量及時(shí)導(dǎo)出:對(duì)于熱流密度較大的器件如芯片和激光下方的PCB板進(jìn)行過(guò)孔塞銅或嵌銅塊處理,提高熱沉的導(dǎo)熱系數(shù)。

(2)殼體導(dǎo)熱系數(shù):在相同散熱條件下,提高殼體導(dǎo)熱系數(shù)有利于降低器件殼溫,同時(shí)有利于降低模塊殼體和散熱器之間的溫差

(3)器件布局:縮短散熱片基板與發(fā)熱組件之間的距離,有利于降低器件殼溫及器件殼體和散熱器之間溫差。

(4)接觸熱阻:器件殼體與散熱器之間的接觸熱阻是器件散熱的重要影響因素。降低接觸熱阻有利于提高器件的散熱性能,進(jìn)而降低器件殼溫及器件殼體與散熱器之間的溫差。

(5)散熱器與器件殼體的接觸面積:通過(guò)增加散熱器接觸面長(zhǎng)度,器件殼溫及器件殼體與散熱器之間的溫差可以降低約1-2℃。

四、熱仿真示例

1.以TOSA為例,通過(guò)不同Receptacle的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以看出溫度隨時(shí)間變化曲線,如下圖所示,通過(guò)熱仿真得知兩種結(jié)構(gòu)溫度差異達(dá)到5℃左右。

5G光器件之散熱分析

5G光器件之散熱分析

最后我們針對(duì)目前光通信散熱基材應(yīng)用最為廣泛的莫屬氮化鋁陶瓷基板,我們下一章將重點(diǎn)講解氮化鋁陶瓷基板的性能特點(diǎn)、制成工藝、陶瓷基板金屬化工藝以及應(yīng)用實(shí)例等等,請(qǐng)小伙伴們敬請(qǐng)期待奧!

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